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PDF 2SA1214 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SA1214 | |
| Descripción | Silicon PNP Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
2SA1214
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V(BR)CEO= -50V (Min)
·Good Linearity of hFE
·Wide Area of Safe Operation
APPLICATIONS
·Desinged for low frequency power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
-60 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
-50 V
VEBO Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ Ta=25℃
PC
Total Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
-2 A
1.5
W
25
150 ℃
-55~150 ℃
isc website：www.iscsemi.cn
isc & iscsemi is registered trademark
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SA1210 | Epitaxial Planar Silicon Transistor |  Sanyo |
| 2SA1213 | Silicon PNP Epitaxial Type Transistor |  Toshiba Semiconductor |
| 2SA1213-G | General Purpose Transistor |  Comchip |
| 2SA1214 | Silicon PNP Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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