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PDF 2SB1261-K Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SB1261-K | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors
isc Product Specification
2SB1261-K
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
·High Power Dissipation-
: PC= 10W(Max)@TC=25℃
·Complement to Type 2SD1899-K
APPLICATIONS
·Designed for use in audio amplifier and switching,
especially in hybrid integrated circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-60 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-60 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-7 V
IC Collector Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
-3 A
10 W
150 ℃
-55~150 ℃
isc Website：www.iscsemi.cn
1
isc & iscsemi is registered trademark
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SB1261-K | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| 2SB1261-Z | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |  NEC |
| 2SB1261-Z | Plastic-Encapsulate Transistors |  TRANSYS Electronics Limited |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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