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A1002 fiches techniques PDF

INCHANGE - Silicon PNP Power Transistor

Numéro de référence A1002
Description Silicon PNP Power Transistor
Fabricant INCHANGE 
Logo INCHANGE 





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A1002 fiche technique
INCHANGE Semiconductor 
isc Silicon PNP Power Transistor 
isc Product Specification 
2SA1002 
DESCRIPTION 
·High Current Capability 
·Collector­Emitter Breakdown Voltage­ 
: V(BR)CEO= ­120V(Min.) 
APPLICATIONS 
·Designed for audio and general purpose applications. 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25
SYMBOL 
PARAMETER 
VALUE  UNIT 
VCBO  Collector­Base Voltage 
­120 
VCEO  Collector­Emitter Voltage 
­120 
VEBO  Emitter­Base Voltage 
­6  V 
ICollector Current­Continuous 
Collector Power Dissipation 
P@TC=25 
TJunction Temperature 
Tstg  Storage Temperature 
­12  A 
120  W 
150   
­55~150 
isc websitewww.iscsemi.cn 

PagesPages 2
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