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FPD6836P70 fiches techniques PDF

Compound Photonics - Low-Noise High-Frequency Packaged pHEMT

Numéro de référence FPD6836P70
Description Low-Noise High-Frequency Packaged pHEMT
Fabricant Compound Photonics 
Logo Compound Photonics 





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FPD6836P70 fiche technique
 
FPD6836P70 
LowNoise HighFrequency Packaged pHEMT 
GENERAL DESCRIPTION   
                                                                         Package ‐ P70 
 
 The FPD6836P70 is a low parasitic, surface 
 mountable packaged depletion mode  
 pseudomorphic  High  Electron  Mobility  Transistor 
 (pHEMT)  optimised  for  lownoise,  highfrequency 
 applications. 
 
 
 
 
Key Characteristics 
Applications
22dBm Output Power (P1dB) 
15dB Gain at 5.8GHz 
0.8dB Noise Figure at 5.8GHz 
32dB Output IP3 at 5.8GHz 
45% PowerAdded Efficiency at 5.8GHz 
Usable Gain to 18GHz 
Gain blocks and medium power stages 
WiMax (2GHz to 11GHz) 
WLAN 802.11a (5.8GHz) 
PointtoPoint Radio (to 18GHz) 
TYPICAL PERFORMANCE 
 
PARAMETER 
P1dB at Gain Compression 
PowerAdded Efficiency 
Maximum Stable Gain (|S21/S12|) 
SmallSignal Gain 
Output ThirdOrder Intercept Point 
Saturated DrainSource Current 
Maximum DrainSource Current 
Transconductance  
GateSource Leakage Current  
PinchOff Voltage  
GateSource Breakdown Voltage 
GateDrain Breakdown Voltage 
Thermal Resistivity  
Noise Figure  
Note: TAMBIENT=22°C 
 
 
 
SYMBOL 
P1dB 
PAE 
MSG 
SSG 
OIP3 
IDSS 
IMAX 
GM 
IGSO 
VP 
BVGS 
BVGD 
θJC  
NF 
SPECIFICATION 
MIN   TYP  MAX 
  22   
  45   
  15   
  12   
14  16   
UNIT 
dBm 
% 
 
 
dB 
  32    dBm 
90 
 
 
 
|0.7| 
|12.0| 
|14.5| 
 
 
105  135  mA 
215    mA 
140    mS 
1    µA 
|1.0|  |1.3|  V 
|14.0|   
V 
|16.0|   
V 
275   
°C/W 
0.8   
 
CONDITIONS 
VDS=5V, IDS=55mA 
VDS=5V, IDS=55mA, POUT=P1dB 
VDS=5V, IDS=55mA, f=12GHz 
VDS=5V, IDS=55mA, f=18GHz 
VDS=5V, IDS=55mA 
VDS=5V, IDS=55mA, 
POUT=10dBm SCL 
VDS=1.3V, VGS=0V 
VDS=1.3V, VGS=+1V 
VDS=1.3V, VGS=0V 
VGS=5V 
VDS=1.3V, IDS=0.2mA 
IGS=0.36mA 
IGD=0.36mA 
 
VDS=5V, IDS=55mA 
FPD6836P70 MADATNP001O 
Page 1 of 5
Compound Photonics
www.compoundphotonics.com
Revision 2.0 

PagesPages 5
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Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
FPD6836P70 Low-Noise High-Frequency Packaged pHEMT Compound Photonics
Compound Photonics
FPD6836P70 LOW-NOISE HIGH-FREQUENCY PACKAGED pHEMT RFMD
RFMD
FPD6836P70 LOW NOISE HIGH FREQUENCY PACKAGED PHEMT Filtronic
Filtronic

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


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